Name: TK2R9E10PL,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK2R9E10PL,S1X-ND
Price: 4.2713 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

TK2R9E10PL,S1X
Productnummer DigiKey	264-TK2R9E10PL,S1X-ND
Fabrikant	Toshiba Semiconductor and Storage
Productnummer fabrikant	TK2R9E10PL,S1X
Beschrijving	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Standaard levertijd fabrikant	16 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 100 V 100 A (Ta) 306W (Tc) Through-hole TO-220
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Verpakking	Buis
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	100 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	100 A (Ta)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	2,9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	2,5V @ 1mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	161 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	9500 pF @ 50 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	306W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	175°C
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Through-hole
Apparaatpakket leverancier	TO-220
Verpakking / doos	TO-220-3

Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Op voorraad: 50

Controleer op extra binnenkomende voorraad

Aantal

Alle prijzen zijn in EUR

Buis

Aantal	Eenheidsprijs	Ext Prijs
1	3,53000 €	3,53 €
50	1,80620 €	90,31 €
100	1,63920 €	163,92 €
500	1,34662 €	673,31 €
1.000	1,25560 €	1.255,60 €

Standaardpakket van de fabrikant

Opmerking: Vanwege de waardetoevoegende diensten van DigiKey kan het verpakkingstype veranderen als het product in hoeveelheden onder de standaardverpakking wordt gekocht.