Name: GT50JR22(STA1,E,S)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Price: 6.8365 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

GT50JR22(STA1,E,S)
Productnummer DigiKey	264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Fabrikant	Toshiba Semiconductor and Storage
Productnummer fabrikant	GT50JR22(STA1,E,S)
Beschrijving	IGBT 600V 50A TO-3P
Standaard levertijd fabrikant	12 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	IGBT 600 V 50 A 230 W Through-hole TO-3P(N)
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors IGBT's Enkel IGBT's
Fabrikant	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpakking	Buis
Status onderdeel	Actief
Type IGBT	-
Spanning - collector-emitter doorslag (max.)	600 V
Stroom - collector (Ic) (max.)	50 A
Stroom - collector puls (Icm)	100 A
Vce(aan) (max.) bij Vge, Ic	2,2V @ 15V, 50A
Vermogen - max.	230 W
Schakelenergie	-
Type ingang	Standard
Td (aan/uit) bij 25°C	-
Testvoorwaarde	-
Bedrijfstemperatuur	175°C (TJ)
Type montage	Through-hole
Verpakking / doos	TO-3P-3, SC-65-3
Apparaatpakket leverancier	TO-3P(N)

Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Op voorraad: 4

Controleer op extra binnenkomende voorraad

Aantal

Alle prijzen zijn in EUR

Buis

Aantal	Eenheidsprijs	Ext Prijs
1	5,65000 €	5,65 €
25	3,31840 €	82,96 €
100	2,76250 €	276,25 €
500	2,35898 €	1.179,49 €

Standaardpakket van de fabrikant

Opmerking: Vanwege de waardetoevoegende diensten van DigiKey kan het verpakkingstype veranderen als het product in hoeveelheden onder de standaardverpakking wordt gekocht.