SCT2120AFC is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.
Beschikbare alternatieven:

Similar


Rohm Semiconductor
Op voorraad: 1.259
Eenheidsprijs : 5,28000 €
Gegevensblad

Similar


Rohm Semiconductor
Op voorraad: 1.798
Eenheidsprijs : 22,11000 €
Gegevensblad

Similar


onsemi
Op voorraad: 790
Eenheidsprijs : 3,73000 €
Gegevensblad

Similar


onsemi
Op voorraad: 1.659
Eenheidsprijs : 4,65000 €
Gegevensblad

Similar


Infineon Technologies
Op voorraad: 1.040
Eenheidsprijs : 2,35000 €
Gegevensblad

Similar


IXYS
Op voorraad: 298
Eenheidsprijs : 5,19000 €
Gegevensblad

Similar


IXYS
Op voorraad: 4.398
Eenheidsprijs : 5,50000 €
Gegevensblad

Similar


IXYS
Op voorraad: 77
Eenheidsprijs : 5,07000 €
Gegevensblad

Similar


IXYS
Op voorraad: 255
Eenheidsprijs : 5,86000 €
Gegevensblad

Similar


Infineon Technologies
Op voorraad: 367
Eenheidsprijs : 4,12000 €
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 363
Eenheidsprijs : 6,53000 €
Gegevensblad

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Op voorraad: 23
Eenheidsprijs : 4,13000 €
Gegevensblad

Similar


Infineon Technologies
Op voorraad: 260
Eenheidsprijs : 3,93000 €
Gegevensblad

Similar


Infineon Technologies
Op voorraad: 348
Eenheidsprijs : 3,51000 €
Gegevensblad
R6014YNX3C16
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.
R6014YNX3C16
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2120AFC

Productnummer DigiKey
SCT2120AFC-ND
Fabrikant
Productnummer fabrikant
SCT2120AFC
Beschrijving
SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 650 V 29 A (Tc) 165W (Tc) Through-hole TO-220AB
Gegevensblad
 Gegevensblad
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabr.
Serie
-
Verpakking
Buis
Status onderdeel
Verouderd
FET-type
Technologie
Spanning ontlading-bron (Vdss)
650 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
156mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (max.) bij Id
4V @ 3,3mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -6V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
1200 pF @ 500 V
FET-kenmerk
-
Vermogensdissipatie (max.)
165W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
175°C (TJ)
Soort
-
Kwalificatie
-
Type montage
Through-hole
Apparaatpakket leverancier
TO-220AB
Verpakking / doos
Basisproductnummer
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Verouderd
Dit product wordt niet meer gemaakt. Vervangende producten bekijken.