Name: RS1E200GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E200GNTBTR-ND
Price: 1.2947 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

RS1E200GNTB
Productnummer DigiKey	RS1E200GNTBTR-ND - Tape & Reel (TR) RS1E200GNTBCT-ND - Cut Tape (CT) RS1E200GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Rohm Semiconductor
Productnummer fabrikant	RS1E200GNTB
Beschrijving	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Standaard levertijd fabrikant	21 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 30 V 20A (Ta), 57A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Opbouwmontage 8-HSOP
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	RS1E200GNTB Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	30 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	20A (Ta), 57A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	4,6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	2,5V @ 1mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	16.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	1080 pF @ 15 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	3W (Ta), 25W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	8-HSOP
Verpakking / doos	8-PowerTDFN
Basisproductnummer	RS1E