Name: TP65H050G4YS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H050G4YS-ND
Price: 10.7448 EUR
Availability: InStock

N-kanaal 650 V 35 A (Tc) 132W (Tc) Through-hole TO-247-4L

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

TP65H050G4YS
Productnummer DigiKey	1707-TP65H050G4YS-ND
Fabrikant	Renesas Electronics Corporation
Productnummer fabrikant	TP65H050G4YS
Beschrijving	650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
Standaard levertijd fabrikant	16 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 650 V 35 A (Tc) 132W (Tc) Through-hole TO-247-4L
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 60mOhm @ 22A, 10V
Fabr. Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (max.) bij Id 4,8V @ 700µA
Serie SuperGaN®	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 24 nC @ 10 V
Verpakking Buis	Vgs (max.) ±20V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 1000 pF @ 400 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 132W (Tc)
Technologie GaNFET (galliumnitride)	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Spanning ontlading-bron (Vdss) 650 V	Type montage Through-hole
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 35 A (Tc)	Apparaatpakket leverancier TO-247-4L
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Verpakking / doos TO-247-4

Fout in productinformatie melden

Documenten en media

Milieu- en exportclassificaties

Meer resources

Op voorraad: 1.276

Controleer op extra binnenkomende voorraad

Aantal

Alle prijzen zijn in EUR

Buis

Aantal	Eenheidsprijs	Ext Prijs
1	8,88000 €	8,88 €
30	5,24567 €	157,37 €
120	4,44700 €	533,64 €
510	3,86206 €	1.969,65 €
1.020	3,79268 €	3.868,53 €

Standaardpakket van de fabrikant

Opmerking: Vanwege de waardetoevoegende diensten van DigiKey kan het verpakkingstype veranderen als het product in hoeveelheden onder de standaardverpakking wordt gekocht.