Name: TP65H070G4PS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H070G4PS-ND
Price: 8.2522 EUR
Availability: InStock

N-kanaal 650 V 29 A (Tc) 96W (Tc) Through-hole TO-220AB

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

TP65H070G4PS
Productnummer DigiKey	1707-TP65H070G4PS-ND
Fabrikant	Renesas Electronics Corporation
Productnummer fabrikant	TP65H070G4PS
Beschrijving	GANFET N-CH 650V 29A TO220
Standaard levertijd fabrikant	16 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 650 V 29 A (Tc) 96W (Tc) Through-hole TO-220AB
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 85mOhm @ 18A, 10V
Fabr. Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (max.) bij Id 4,7V @ 700µA
Serie SuperGaN®	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 9 nC @ 10 V
Verpakking Buis	Vgs (max.) ±20V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 638 pF @ 400 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 96W (Tc)
Technologie GaNFET (galliumnitride)	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Spanning ontlading-bron (Vdss) 650 V	Type montage Through-hole
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 29 A (Tc)	Apparaatpakket leverancier TO-220AB
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Verpakking / doos TO-220-3

Fout in productinformatie melden

Documenten en media

Milieu- en exportclassificaties

Meer resources

Op voorraad: 1.124

Controleer op extra binnenkomende voorraad

Aantal

Alle prijzen zijn in EUR

Buis

Aantal	Eenheidsprijs	Ext Prijs
1	6,82000 €	6,82 €
50	3,68260 €	184,13 €
100	3,37950 €	337,95 €
500	2,84918 €	1.424,59 €
1.000	2,67894 €	2.678,94 €
2.000	2,67719 €	5.354,38 €

Standaardpakket van de fabrikant

Opmerking: Vanwege de waardetoevoegende diensten van DigiKey kan het verpakkingstype veranderen als het product in hoeveelheden onder de standaardverpakking wordt gekocht.