FCPF9N60NT is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.
Beschikbare alternatieven:

MFR Recommended


onsemi
Op voorraad: 970
Eenheidsprijs : 3,75000 €
Gegevensblad

Direct


Toshiba Semiconductor and Storage
Op voorraad: 115
Eenheidsprijs : 3,16000 €
Gegevensblad

Similar


Infineon Technologies
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : 1,75000 €
Gegevensblad

Similar


Infineon Technologies
Op voorraad: 373
Eenheidsprijs : 1,77000 €
Gegevensblad

Similar


Rohm Semiconductor
Op voorraad: 500
Eenheidsprijs : 3,48000 €
Gegevensblad

Similar


Rohm Semiconductor
Op voorraad: 337
Eenheidsprijs : 2,33000 €
Gegevensblad

Similar


Vishay Siliconix
Op voorraad: 814
Eenheidsprijs : 2,81000 €
Gegevensblad

Similar


Infineon Technologies
Op voorraad: 495
Eenheidsprijs : 2,59000 €
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 378
Eenheidsprijs : 2,27000 €
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 1.263
Eenheidsprijs : 1,83000 €
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 871
Eenheidsprijs : 4,45000 €
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 659
Eenheidsprijs : 4,53000 €
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : 2,22000 €
Gegevensblad
TO-220F-3
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

FCPF9N60NT

Productnummer DigiKey
FCPF9N60NT-ND
Fabrikant
Productnummer fabrikant
FCPF9N60NT
Beschrijving
MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 600 V 9 A (Tc) 29,8W (Tc) Through-hole TO-220F-3
Gegevensblad
 Gegevensblad
EDA/CAD-modellen
FCPF9N60NT Modellen
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabr.
Serie
Verpakking
Buis
Status onderdeel
Verouderd
FET-type
Technologie
Spanning ontlading-bron (Vdss)
600 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
385mOhm @ 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id
4V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
1240 pF @ 100 V
FET-kenmerk
-
Vermogensdissipatie (max.)
29,8W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort
-
Kwalificatie
-
Type montage
Through-hole
Apparaatpakket leverancier
TO-220F-3
Verpakking / doos
Basisproductnummer
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Verouderd
Dit product wordt niet meer gemaakt. Vervangende producten bekijken.