Name: G3F60MT06L-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3F60MT06L-TR-ND
Price: 9.0629 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

G3F60MT06L-TR
Productnummer DigiKey	1913-G3F60MT06L-TR-ND - Tape & Reel (TR) 1913-G3F60MT06L-TRCT-ND - Cut Tape (CT) 1913-G3F60MT06L-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Navitas Semiconductor, Inc.
Productnummer fabrikant	G3F60MT06L-TR
Beschrijving	650V 55M TO-LL G3F SIC MOSFET
Standaard levertijd fabrikant	20 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 650 V 48 A (Tc) 185W (Tc) Opbouwmontage TOLL
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Navitas Semiconductor, Inc.
Serie	-
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	SiC (verbindingstransistor van siliciumcarbide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	650 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	48 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	75mOhm @ 15A, 18V
Vgs(th) (max.) bij Id	4,3V @ 7mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	45 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	1322 pF @ 400 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	185W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	Automotive
Kwalificatie	AEC-Q101
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	TOLL
Verpakking / doos	8-PowerSFN