IRFB4110GPBF is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.
Beschikbare alternatieven:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Op voorraad: 2.748
Eenheidsprijs : 2,64000 €
Gegevensblad

Parametrisch equivalent


Infineon Technologies
Op voorraad: 73
Eenheidsprijs : 7,19000 €
Gegevensblad

Parametrisch equivalent


Infineon Technologies
Op voorraad: 982
Eenheidsprijs : 2,64000 €
Gegevensblad

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : 1,00336 €
Gegevensblad

Similar


Diodes Incorporated
Op voorraad: 46
Eenheidsprijs : 2,78000 €
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 17.875
Eenheidsprijs : 4,15000 €
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 1.333
Eenheidsprijs : 3,18000 €
Gegevensblad
IRFB4127PBFXKMA1
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IRFB4110GPBF

Productnummer DigiKey
IRFB4110GPBF-ND
Fabrikant
Productnummer fabrikant
IRFB4110GPBF
Beschrijving
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 100 V 120 A (Tc) 370W (Tc) Through-hole TO-220AB
Gegevensblad
 Gegevensblad
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabr.
Serie
Verpakking
Buis
Status onderdeel
Verouderd
FET-type
Technologie
Spanning ontlading-bron (Vdss)
100 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
4,5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id
4V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
9620 pF @ 50 V
FET-kenmerk
-
Vermogensdissipatie (max.)
370W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort
-
Kwalificatie
-
Type montage
Through-hole
Apparaatpakket leverancier
TO-220AB
Verpakking / doos
Basisproductnummer
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Verouderd
Dit product wordt niet meer gemaakt. Vervangende producten bekijken.