Name: IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQEH50NE2LM7ZCGATMA1TR-ND
Price: 3.2549 EUR
Availability: InStock

Nieuw product

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Productnummer DigiKey	448-IQEH50NE2LM7ZCGATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IQEH50NE2LM7ZCGATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IQEH50NE2LM7ZCGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Beschrijving	TRENCH <= 40V
Standaard levertijd fabrikant	26 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 25 V 54A (Ta), 422A (Tc) 2,5W (Ta), 150W (Tc) Opbouwmontage PG-TTFN-9-3
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	25 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	54A (Ta), 422A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	0,5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	1,7V @ 432µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	6100 pF @ 12 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	2,5W (Ta), 150W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-TTFN-9-3
Verpakking / doos	9-PowerTDFN