IPB90N06S404ATMA2 Infineon Technologies | Producten voor discrete halfgeleiders

IPB90N06S404ATMA2 is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.

Beschikbare alternatieven:

Similar

onsemi

Op voorraad: 16.133

Eenheidsprijs : 4,05938 €

Similar

onsemi

Op voorraad: 162

Eenheidsprijs : 3,25000 €

Similar

Nexperia USA Inc.

Op voorraad: 3.814

Eenheidsprijs : 4,55000 €

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IPB90N06S404ATMA2
Productnummer DigiKey	448-IPB90N06S404ATMA2TR-ND - Tape & Reel (TR)
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IPB90N06S404ATMA2
Beschrijving	MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 60 V 90 A (Tc) 150W (Tc) Opbouwmontage PG-TO263-3
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IPB90N06S404ATMA2 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpakking	Tape & Reel (TR)
Status onderdeel	Verouderd
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	60 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	90 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	4mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	4V @ 90µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	128 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	10400 pF @ 25 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	150W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	Automotive
Kwalificatie	AEC-Q101
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-TO263-3
Verpakking / doos	TO-263-3, D2PAK (2 leads + tab), TO-263AB
Basisproductnummer	IPB90N06