Name: IMZA120R022M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA120R022M2HXKSA1-ND
Price: 16.093 EUR
Availability: InStock

Nieuw product

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IMZA120R022M2HXKSA1
Productnummer DigiKey	448-IMZA120R022M2HXKSA1-ND
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IMZA120R022M2HXKSA1
Beschrijving	IMZA120R022M2HXKSA1
Standaard levertijd fabrikant	26 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 1200 V 80 A (Tc) 329W (Tc) Through-hole PG-TO247-4-8
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpakking	Buis
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	SiCFET (siliciumcarbide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	1200 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	80 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	29mOhm @ 32A, 18V
Vgs(th) (max.) bij Id	5,1V @ 10,1mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	71 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+25V, -10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	2330 pF @ 800 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	329W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Through-hole
Apparaatpakket leverancier	PG-TO247-4-8
Verpakking / doos	TO-247-4

Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Op voorraad: 199

Controleer op extra binnenkomende voorraad

Aantal

Alle prijzen zijn in EUR

Buis

Aantal	Eenheidsprijs	Ext Prijs
1	13,30000 €	13,30 €
30	8,18633 €	245,59 €
120	7,25117 €	870,14 €

Standaardpakket van de fabrikant

Opmerking: Vanwege de waardetoevoegende diensten van DigiKey kan het verpakkingstype veranderen als het product in hoeveelheden onder de standaardverpakking wordt gekocht.