
IMW65R039M1HXKSA1 | |
|---|---|
Productnummer DigiKey | 448-IMW65R039M1HXKSA1-ND |
Fabrikant | |
Productnummer fabrikant | IMW65R039M1HXKSA1 |
Beschrijving | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
Standaard levertijd fabrikant | 23 weken |
Klantreferentie | |
Gedetailleerde beschrijving | N-kanaal 650 V 46 A (Tc) 176W (Tc) Through-hole PG-TO247-3-41 |
Gegevensblad | Gegevensblad |
EDA/CAD-modellen | IMW65R039M1HXKSA1 Modellen |
Type | Beschrijving | Alles selecteren |
|---|---|---|
Categorie | ||
Fabr. | ||
Serie | ||
Verpakking | Buis | |
Status onderdeel | Actief | |
FET-type | ||
Technologie | ||
Spanning ontlading-bron (Vdss) | 650 V | |
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C | ||
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) | 18V | |
Rds aan (max.) bij Id, Vgs | 50mOhm @ 25A, 18V | |
Vgs(th) (max.) bij Id | 5,7V @ 7,5mA | |
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs | 41 nC @ 18 V | |
Vgs (max.) | +20V, -2V | |
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds | 1393 pF @ 400 V | |
FET-kenmerk | - | |
Vermogensdissipatie (max.) | 176W (Tc) | |
Bedrijfstemperatuur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Soort | - | |
Kwalificatie | - | |
Type montage | Through-hole | |
Apparaatpakket leverancier | PG-TO247-3-41 | |
Verpakking / doos | ||
Basisproductnummer |
| Aantal | Eenheidsprijs | Ext Prijs |
|---|---|---|
| 1 | 8,20000 € | 8,20 € |
| 30 | 4,84100 € | 145,23 € |
| 120 | 4,10417 € | 492,50 € |
| 510 | 3,86237 € | 1.969,81 € |
| Eenheidsprijs zonder BTW: | 8,20000 € |
|---|---|
| Eenheidsprijs met BTW: | 9,92200 € |









