Name: IMT65R010M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R010M2HXUMA1TR-ND
Price: 20.9814 EUR
Availability: InStock

Hulp nodig?

Feedback sturen

Over DigiKey Marketplace Verkopen op DigiKey.com Carrière Sitemap Digitale oplossingen Newsroom

Hulp en Assistentie Bestelstatus Verzendkosten/-opties Retourzendingen en problemen met bestellingen

(+32) 53 33 80 45 eu.support@digikey.com

IMT65R010M2HXUMA1
Productnummer DigiKey	448-IMT65R010M2HXUMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMT65R010M2HXUMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMT65R010M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IMT65R010M2HXUMA1
Beschrijving	SILICON CARBIDE MOSFET
Standaard levertijd fabrikant	23 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 650 V 168 A (Tc) 681W (Tc) Opbouwmontage PG-HSOF-8-2
Gegevensblad	Gegevensblad

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	SiCFET (siliciumcarbide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	650 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	168 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 20V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	9,1mOhm @ 92,1A, 20V
Vgs(th) (max.) bij Id	5,6V @ 18,7mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	113 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+23V, -7V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	4001 pF @ 400 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	681W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-HSOF-8-2
Verpakking / doos	8-PowerSFN

Eenheidsprijs zonder BTW:	17,34000 €
Eenheidsprijs met BTW:	20,98140 €

IMT65R010M2HXUMA1