Name: IMBG65R020M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R020M2HXTMA1TR-ND
Price: 14.2659 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IMBG65R020M2HXTMA1
Productnummer DigiKey	448-IMBG65R020M2HXTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMBG65R020M2HXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMBG65R020M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IMBG65R020M2HXTMA1
Beschrijving	SILICON CARBIDE MOSFET
Standaard levertijd fabrikant	23 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 650 V 91 A (Tc) 326W (Tc) Opbouwmontage PG-TO263-7-12
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ Gen 2
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	SiCFET (siliciumcarbide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	650 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	91 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 20V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	24mOhm @ 46,9A, 18V
Vgs(th) (max.) bij Id	5,6V @ 9,5mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	57 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+23V, -7V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	2038 pF @ 400 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	326W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-TO263-7-12
Verpakking / doos	TO-263-8, D2PAK (7 leads + tab), TO-263CA
Basisproductnummer	IMBG65R020