Name: IMBG65R010M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND
Price: 22.748 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IMBG65R010M2HXTMA1
Productnummer DigiKey	448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMBG65R010M2HXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMBG65R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IMBG65R010M2HXTMA1
Beschrijving	SILICON CARBIDE MOSFET
Standaard levertijd fabrikant	61 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 650 V 158 A (Tc) 535W (Tc) Opbouwmontage PG-TO263-7-12
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IMBG65R010M2HXTMA1 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 9,1mOhm @ 92,1A, 20V
Fabr. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bij Id 5,6V @ 18,7mA
Serie CoolSiC™	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 112 nC @ 18 V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +23V, -7V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 4001 pF @ 400 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 535W (Tc)
Technologie SiCFET (siliciumcarbide)	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Spanning ontlading-bron (Vdss) 650 V	Type montage Opbouwmontage
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 158 A (Tc)	Apparaatpakket leverancier PG-TO263-7-12
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 20V	Verpakking / doos TO-263-8, D2PAK (7 leads + tab), TO-263CA