BSC159N10LSFGATMA1 is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.
Beschikbare alternatieven:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Op voorraad: 4.999
Eenheidsprijs : 0,90000 €
Gegevensblad

Similar


Infineon Technologies
Op voorraad: 3.371
Eenheidsprijs : 1,90000 €
Gegevensblad

Similar


onsemi
Op voorraad: 9.556
Eenheidsprijs : 3,33000 €
Gegevensblad

Similar


onsemi
Op voorraad: 5.983
Eenheidsprijs : 3,23000 €
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 13.275
Eenheidsprijs : 1,78000 €
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 102
Eenheidsprijs : 2,13000 €
Gegevensblad
PG-TDSON-8-1
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

BSC159N10LSFGATMA1

Productnummer DigiKey
BSC159N10LSFGATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR)
Fabrikant
Productnummer fabrikant
BSC159N10LSFGATMA1
Beschrijving
MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 100 V 9,4 A (Ta), 63 A (Tc) 114W (Tc) Opbouwmontage PG-TDSON-8-1
Gegevensblad
 Gegevensblad
EDA/CAD-modellen
BSC159N10LSFGATMA1 Modellen
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabr.
Serie
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Status onderdeel
Verouderd
FET-type
Technologie
Spanning ontlading-bron (Vdss)
100 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
15,9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id
2,4V @ 72µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
2500 pF @ 50 V
FET-kenmerk
-
Vermogensdissipatie (max.)
114W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort
-
Kwalificatie
-
Type montage
Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier
PG-TDSON-8-1
Verpakking / doos
Basisproductnummer
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Verouderd
Dit product wordt niet meer gemaakt. Vervangende producten bekijken.