Matrices de FET, MOSFET

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Technologies	Configuration	Fonction FET	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Puissance - Max.	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier	Boîtier fournisseur
SSM6N7002KFU,LF MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	2 034 En stock	1 : 0,18000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03529 € Bande et bobine	U-MOSVII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	60V	300mA	1,5ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0,6nC à 4,5V	40pF à 10V	285mW	150°C	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
NTJD5121NT1G MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 onsemi	12 En stock 531 000 Marketplace	1 : 0,24000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04978 € Bande et bobine 2 691 : 0,09467 € En vrac	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® En vrac	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	295mA	1,6ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0,9nC à 4,5V	26pF à 20V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
2N7002BKS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	43 299 En stock	1 : 0,24000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04891 € Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	300mA (Ta)	1,6ohms à 500mA, 10V	2,1V à 250µA	0,6nC à 4,5V	50pF à 10V	295mW	150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
2N7002DW-7-F MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Diodes Incorporated	1 702 En stock	1 : 0,25000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05195 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	60V	230mA	7,5ohms à 50mA, 5V	2V à 250µA	-	50pF à 25V	310mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
2N7002PS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	1 485 En stock	1 : 0,25000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05181 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	320mA	1,6ohms à 500mA, 10V	2,4V à 250µA	0,8nC à 4,5V	50pF à 10V	420mW	150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q100	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
2N7002HSX MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	6 614 En stock	1 : 0,26000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05452 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	-	2 canaux N (double)	-	60V	320mA (Ta)	1,6ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0,5nC à 4,5V	34pF à 10V	420mW	-55°C ~ 150°C (TA)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
SSM6L56FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	54 514 En stock	1 : 0,28000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,05428 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique, attaque 1,5V	20V	800mA (Ta)	235mohms à 800mA, 4,5V, 390mohms à 800mA, 4,5V	1V à 1mA	1nC à 10V	55pF à 10V, 100pF à 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	ES6
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	119 992 En stock	1 : 0,28000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05877 € Bande et bobine	OptiMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	300mA	3ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0,6nC à 10V	20pF à 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
NX3008PBKS,115 MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	1 821 En stock	1 : 0,29000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06085 € Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux P (double)	Porte de niveau logique	30V	200mA	4,1ohms à 200m A, 4,5V	1,1V à 250µA	0,75nC à 4,5V	46pF à 15V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
DMC2700UDM-7 MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26 Diodes Incorporated	918 254 En stock 2 139 000 Usine	1 : 0,30000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06444 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	20V	1,34 A, 1,14 A	400mohms à 600mA, 4,5V	1V à 250µA	0,74nC à 4,5V	60,67pF à 16V	1,12W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-6	SOT-26
DMC2400UV-13 MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Diodes Incorporated	4 252 En stock	1 : 0,30000 € Bande coupée (CT) 10 000 : 0,05197 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	-	20V	1,03A, 700 mA	480mohms à 200mA, 5V	900mV à 250µA	0,5nC à 4,5V	37,1pF à 10V	450mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-563
NX3008CBKS,115 MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	3 712 En stock	1 : 0,30000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06403 € Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	30V	350mA, 200mA	1,4ohms à 350m A, 4,5V	1,1V à 250µA	0,68nC à 4,5V	50pF à 15V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
BSD223PH6327XTSA1 MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 Infineon Technologies	102 227 En stock	1 : 0,32000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06745 € Bande et bobine	OptiMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux P (double)	Porte de niveau logique	20V	390mA	1,2ohms à 390mA, 4,5V	1,2V à 1,5µA	0,62nC à 4,5V	56pF à 15V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-6-1
DMG1016UDW-7 MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Diodes Incorporated	1 265 En stock	1 : 0,33000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06870 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	20V	1,07A, 845mA	450mohms à 600mA, 4,5V	1V à 250µA	0,74nC à 4,5V	60,67pF à 10V	330mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
NX3008NBKS,115 MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	232 798 En stock	1 : 0,34000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07271 € Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	30V	350mA	1,4ohms à 350m A, 4,5V	1,1V à 250µA	0,68nC à 4,5V	50pF à 15V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
BSD840NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Infineon Technologies	175 762 En stock	1 : 0,34000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07163 € Bande et bobine	OptiMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	880mA	400mohms à 880mA, 2,5V	750mV à 1,6µA	0,26nC à 2,5V	78pF à 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	567 897 En stock	1 : 0,34000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07483 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 1,2V	50V	200mA	2,2ohms à 200mA, 4,5V	1V à 1mA	-	25pF à 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
EM6K34T2CR MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Rohm Semiconductor	194 540 En stock	1 : 0,35000 € Bande coupée (CT) 8 000 : 0,06628 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 0,9V	50V	200mA	2,2ohms à 200mA, 4,5V	800mV à 1mA	-	26pF à 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	EMT6
UM6K34NTCN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	160 139 En stock	1 : 0,35000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07616 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 0,9V	50V	200mA	2,2ohms à 200mA, 4,5V	800mV à 1mA	-	26pF à 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
NVJD5121NT1G MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 onsemi	29 794 En stock Ce produit a une limite d'achat maximum	1 : 0,35000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07616 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	60V	295mA	1,6ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0,9nC à 4,5V	26pF à 20V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
DMG6602SVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Diodes Incorporated	24 015 En stock	1 : 0,35000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07464 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique, attaque 4,5V	30V	3,4 A, 2,8 A	60mohms à 3,1 A, 10V	2,3V à 250µA	13nC à 10V	400pF à 15V	840mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6	TSOT-26
NX3020NAKV,115 MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666 Nexperia USA Inc.	232 763 En stock	1 : 0,36000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,07403 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	30V	200mA	4,5ohms à 100mA, 10V	1,5V à 250µA	0,44nC à 4,5V	13pF à 10V	375mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-666
NTJD1155LT1G MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88 onsemi	88 051 En stock Ce produit a une limite d'achat maximum	1 : 0,36000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07722 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	-	8V	1,3A	175mohms à 1,2A, 4,5V	1V à 250µA	-	-	400mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
DMG6601LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26 Diodes Incorporated	19 966 En stock	1 : 0,36000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07554 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	30V	3,8 A, 2,5 A	55mohms à 3,4A, 10V	1,5V à 250µA	12,3nC à 10V	422pF à 15V	850mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6	TSOT-26
BSD235NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 Infineon Technologies	13 313 En stock	1 : 0,36000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07788 € Bande et bobine	OptiMOS™ 2	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	950mA	350mohms à 950mA, 4,5V	1,2V à 1,6µA	0,32nC à 4,5V	63pF à 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO

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Les transistors à effet de champ (FET) sont des dispositifs électroniques utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant. L'application d'une tension à la borne de grille modifie la conductivité entre les bornes de drain et de source. Les FET sont également appelés transistors unipolaires puisque leur fonctionnement inclut un seul type de porteur. Autrement dit, les FET utilisent des électrons ou des trous comme porteurs de charge dans leur fonctionnement, mais pas les deux. Les transistors à effet de champ affichent généralement une très haute impédance d'entrée à basses fréquences.

Matrices de FET, MOSFET

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