Circuits d'attaque de grille

Résultats : 6 296
Options de stockage
Options environnementales
Supports
Exclure
6 296Résultats

Affichage de
sur 6 296
Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Programmable DigiKey
Configuration
Type de canal
Nombre de circuits d'attaque
Type de grille
Tension - Alimentation
Tension logique - VIL, VIH
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
Type d'entrée
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
Temps de montée / descente (typ.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
8-DFN
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN
onsemi
40 459
En stock
330 000
Usine
1 : 0,34000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,14000 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Demi-pont
Synchrone
2
MOSFET (canal N)
4,5V ~ 5,5V
0,6V, 3,3V
-
Sans inversion
40 V
16ns, 11ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-VFDFN plot exposé
8-DFN (2x2)
SOT-23-6
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
Diodes Incorporated
9 030
En stock
1 : 0,52000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,23054 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET SiC
40V (maxi)
-
10A, 10A
Sans inversion
-
48ns, 35ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6
SOT-26
PG-SOT23-6-2
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Infineon Technologies
15 776
En stock
1 : 0,60000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,27069 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
FET GaN, MOSFET (canal N)
8V ~ 20V
1,2V, 1,9V
4A, 8A
Avec inversion, Sans inversion
200 V
6,5ns, 4,5ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6
PG-SOT23-6-2
24-VFQFN Exposed Pad
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 24VFQFN
Texas Instruments
19 340
En stock
1 : 0,63000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,28722 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Haut potentiel, bas potentiel
3 phases
3
MOSFET (canal N)
5V ~ 20V
0,8V, 2V
750mA, 1,5A
Avec inversion, Sans inversion
105 V
12ns, 12ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
Montage en surface
24-VFQFN plot exposé
24-VQFN (4x4)
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
13 127
En stock
1 : 0,63000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,47594 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N, canal P)
4,5V ~ 18V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Sans inversion
-
20ns, 20ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
6 043
En stock
1 : 0,64000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,48445 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N, canal P)
4,5V ~ 18V
0,8V, 2,4V
500mA, 500mA
Inverseur
-
19ns, 15ns
-40°C ~ 125°C
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Microchip Technology
5 773
En stock
1 : 0,64000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,50527 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N, canal P)
4,5V ~ 18V
0,8V, 2,4V
500mA, 500mA
Sans inversion
-
19ns, 15ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
PG-SOT23-6-1
IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
Infineon Technologies
2 830
En stock
1 : 0,69000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,31463 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Haut potentiel, bas potentiel
Simple
1
FET GaN, MOSFET (canal N)
4,5V ~ 20V
-
4A, 8A
Sans inversion
200 V
6,5ns, 4,5ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6
PG-SOT23-6
SC-74A, SOT-753
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Infineon Technologies
2 290
En stock
1 : 0,69000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,31171 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N)
10,2V ~ 20V
0,8V, 2,5V
1,5A, 1,5A
Sans inversion
-
25ns, 25ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
24-VFQFN Exposed Pad
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 24VFQFN
Texas Instruments
24 992
En stock
1 : 0,71000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,32582 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Haut potentiel, bas potentiel
3 phases
3
MOSFET (canal N)
5V ~ 20V
0,8V, 2V
750mA, 1,5A
Avec inversion, Sans inversion
105 V
12ns, 12ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
Montage en surface
24-VFQFN plot exposé
24-VQFN (4x4)
PG-SOT23-6-1
IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
Infineon Technologies
11 223
En stock
1 : 0,71000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,32364 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Haut potentiel
Simple
1
MOSFET (canal N)
10V ~ 18V
0,8V, 2,2V
160 mA, 240 mA
Sans inversion
100 V
85ns, 40ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6
PG-SOT23-6
8 SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Texas Instruments
42 875
En stock
1 : 0,74000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,34013 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Demi-pont
Indépendant
2
MOSFET (canal N)
8V ~ 14V
0,8V, 2,2V
1A, 1A
Sans inversion
108 V
15ns, 15ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8-SOIC
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
onsemi
8 238
En stock
1 : 0,75000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,33549 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
MOSFET (canal N)
4,5V ~ 18V
-
1,4A, 1,4A
Avec inversion, Sans inversion
-
9ns, 8ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
IX4310TTR
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
IXYS Integrated Circuits Division
13 669
En stock
45 000
Usine
1 : 0,78000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,36431 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Indépendant
1
MOSFET (canal N, canal P)
4,5V ~ 20V
0,8V, 2,5V
2A, 2A
CMOS, TTL
-
7ns, 7ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-23-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
onsemi
0
En stock
30 000
Marketplace
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 0,82000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,37351 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
MOSFET (canal N)
4,5V ~ 18V
0,8V, 2V
3A, 3A
Avec inversion, Sans inversion
-
13ns, 9ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-753
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Texas Instruments
8 006
En stock
1 : 0,83000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,38951 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N)
4,5V ~ 18V
1V, 2,4V
4A, 4A
Avec inversion, Sans inversion
-
8ns, 7ns
-40°C ~ 140°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
SOT-23-6
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Texas Instruments
5 924
En stock
1 : 0,84000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,39671 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N)
4,5V ~ 18V
1V, 2,4V
4A, 8A
Avec inversion, Sans inversion
-
8ns, 7ns
-40°C ~ 140°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6
SOT-23-6
IRS25411STRPBF
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Infineon Technologies
22 114
En stock
1 : 0,87000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,40559 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Demi-pont
Synchrone
2
MOSFET (canal N)
10V ~ 20V
0,8V, 2,5V
290 mA, 600 mA
Sans inversion
200 V
70ns, 30ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8-SOIC
SOT-753
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Texas Instruments
13 825
En stock
1 : 0,90000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,42785 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N)
4,5V ~ 18V
1V, 2,4V
4A, 4A
Avec inversion, Sans inversion
-
8ns, 7ns
-40°C ~ 140°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
FAN3100TMPX
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6MLP
onsemi
7 900
En stock
1 : 0,93000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,42724 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
MOSFET (canal N)
4,5V ~ 18V
0,8V, 2V
3A, 3A
Avec inversion, Sans inversion
-
13ns, 9ns
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-WDFN plot exposé
6-MicroFET (2x2)
SOT-753
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Texas Instruments
17 205
En stock
1 : 0,94000 €
Bande coupée (CT)
250 : 0,50856 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N)
4,5V ~ 18V
1V, 2,4V
4A, 4A
Avec inversion, Sans inversion
-
8ns, 7ns
-40°C ~ 140°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-74A, SOT-753
SOT-23-5
8 SO
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Diodes Incorporated
2 969
En stock
1 : 0,93000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,44525 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Demi-pont
Indépendant
2
IGBT, MOSFET (canal N)
10V ~ 20V
0,7V, 2,3V
290 mA, 600 mA
Sans inversion
600 V
70ns, 35ns
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8-SO
8-MLF
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MLF
Microchip Technology
2 603
En stock
1 : 0,93000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,68842 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Indépendant
2
MOSFET (canal N)
4,5V ~ 20V
0,8V, 2,4V
1,5A, 1,5A
Sans inversion
-
20ns, 18ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-VDFN plot exposé, 8-MLF®
8-MLF® (3x3)
SOT-23-6
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Texas Instruments
2 533
En stock
1 : 0,94000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,42766 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Simple
1
IGBT, MOSFET (canal N)
4,5V ~ 18V
1V, 2,4V
4A, 8A
Avec inversion, Sans inversion
-
8ns, 7ns
-40°C ~ 140°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-6
SOT-23-6
FDS86242
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
onsemi
17 896
En stock
1 : 0,98000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,45702 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Non vérifié
Bas potentiel
Indépendant
2
MOSFET (canal N)
4,5V ~ 18V
0,8V, 2V
5A, 5A
Sans inversion
-
12ns, 9ns
-40°C ~ 125°C (TA)
-
-
Montage en surface
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8-SOIC
Affichage de
sur 6 296

Circuits d'attaque de grille


Les circuits intégrés de gestion de l'alimentation (PMIC) de circuits d'attaque de grille sont des dispositifs qui fournissent l'isolement, l'amplification, le décalage de référence, l'amorçage ou d'autres fonctions nécessaires pour interfacer les signaux d'un dispositif de commande dans une application de conversion de puissance avec les dispositifs à semi-conducteurs (généralement des FET ou des IGBT) par lesquels passe la puissance commandée. Les fonctions exactes offertes par un dispositif particulier varient, mais correspondent à la configuration des semi-conducteurs qu'il est adapté à commander.