
SISS94DN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SISS94DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SISS94DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SISS94DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISS94DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 42 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 200 V 5,4A (Ta), 19,5A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8S |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SISS94DN-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 21 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 350 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 200 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8S |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 75mohms à 5,4A, 10V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,31000 € | 1,31 € |
| 10 | 0,82700 € | 8,27 € |
| 100 | 0,54850 € | 54,85 € |
| 500 | 0,42920 € | 214,60 € |
| 1 000 | 0,39079 € | 390,79 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,34201 € | 1 026,03 € |
| 6 000 | 0,31746 € | 1 904,76 € |
| 9 000 | 0,30496 € | 2 744,64 € |
| 15 000 | 0,29091 € | 4 363,65 € |
| 21 000 | 0,28260 € | 5 934,60 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,31000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 1,58510 € |


