Name: IRFH5020TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH5020TRPBFTR-ND
Price: 3.0129 EUR
Availability: InStock

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IRFH5020TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRFH5020TRPBFTR-ND - Bande et bobine IRFH5020TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRFH5020TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFH5020TRPBF
Description	MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 5,1 A (Ta) 3,6W (Ta), 8,3W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFH5020TRPBF Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 150µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 54 nC @ 10 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2290 pF @ 100 V
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Dissipation de puissance (max.) 3,6W (Ta), 8,3W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 200 V	Boîtier fournisseur 8-PQFN (5x6)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,1 A (Ta)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IRFH5020
Rds On (max.) à Id, Vgs 55mohms à 7,5A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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