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SIHB33N60E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHB33N60E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHB33N60E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 33 A (Tc) 278W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 150 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3508 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 278W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 99mohms à 16,5A, 10V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | 3 220 | IPB60R099C6ATMA1CT-ND | 6,85000 € | Similaire |
| IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | 129 | 448-IPB60R099CPAATMA1CT-ND | 8,48000 € | Similaire |
| IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | 519 | IPB60R099CPATMA1CT-ND | 7,87000 € | Similaire |
| IPB60R125C6ATMA1 | Infineon Technologies | 2 682 | IPB60R125C6ATMA1CT-ND | 5,73000 € | Similaire |
| IPB60R125CPATMA1 | Infineon Technologies | 1 158 | IPB60R125CPATMA1CT-ND | 6,01000 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 6,25000 € | 6,25 € |
| 10 | 4,21700 € | 42,17 € |
| 100 | 3,06300 € | 306,30 € |
| 500 | 2,57148 € | 1 285,74 € |
| 1 000 | 2,41371 € | 2 413,71 € |
| 2 000 | 2,37735 € | 4 754,70 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 6,25000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 7,56250 € |




