Name: IPB60R099C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R099C6ATMA1TR-ND
Price: 7.0301 EUR
Availability: InStock

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IPB60R099C6ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPB60R099C6ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPB60R099C6ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPB60R099C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB60R099C6ATMA1
Description	MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 37,9 A (Tc) 278W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB60R099C6ATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 1,21mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 119 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ C6	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2660 pF @ 100 V
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Dissipation de puissance (max.) 278W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Boîtier fournisseur PG-TO263-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 37,9 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPB60R099
Rds On (max.) à Id, Vgs 99mohms à 18,1A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (12)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FCB070N65S3	onsemi	2 670	FCB070N65S3CT-ND	6,52000 €	Direct
SIHB30N60E-GE3	Vishay Siliconix	448	SIHB30N60E-GE3-ND	5,61000 €	Similaire
SIHB33N60E-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHB33N60E-GE3-ND	5,69000 €	Similaire
STB26NM60N	STMicroelectronics	1 786	497-10985-1-ND	6,53000 €	Similaire
STB33N65M2	STMicroelectronics	745	497-15457-1-ND	4,21000 €	Similaire