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RS1E300GNTB | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 846-RS1E300GNTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | RS1E300GNTB |
Description | MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 30A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 33W (Tc) Montage en surface 8-HSOP |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | RS1E300GNTB Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 39.8 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2500 pF @ 15 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 33W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur 8-HSOP |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,2mohms à 30A, 10V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| RS1E301GNTB1 | Rohm Semiconductor | 2 379 | RS1E301GNTB1CT-ND | 2,43000 € | Similaire |
| BSC025N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | 2 015 | BSC025N03LSGATMA1CT-ND | 1,63000 € | Similaire |
| BSZ019N03LSATMA1 | Infineon Technologies | 0 | BSZ019N03LSATMA1CT-ND | 1,78000 € | Similaire |
| CSD17576Q5B | Texas Instruments | 3 400 | 296-43635-1-ND | 1,69000 € | Similaire |
| FDMS0306AS | onsemi | 0 | FDMS0306ASCT-ND | 0,39841 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,42799 € | 1 069,97 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,42799 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,51787 € |







