BSC025N03LSGATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

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BSC025N03LSGATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSC025N03LSGATMA1TR-ND - Bande et bobine BSC025N03LSGATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSC025N03LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSC025N03LSGATMA1
Description	MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 25 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 83W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-5
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 74 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6100 pF @ 15 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 83W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-5
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 25 A (Ta), 100 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base BSC025
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,5mohms à 30A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (6)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
CSD17576Q5B	Texas Instruments	3 400	296-43635-1-ND	18,62000 €	Similaire
CSD17576Q5BT	Texas Instruments	814	296-CSD17576Q5BTCT-ND	22,45000 €	Similaire
FDMS0306AS	onsemi	0	FDMS0306ASCT-ND	4,38555 €	Similaire
PSMN2R5-30YL,115	Nexperia USA Inc.	1 036	1727-4164-1-ND	14,97000 €	Similaire
RJK0346DPA-01#J0B	Renesas Electronics Corporation	4 604	559-RJK0346DPA-01#J0BCT-ND	35,08000 €	Similaire