Name: R6007ENX
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6007ENX-ND
Price: 3.4969 EUR
Availability: InStock

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R6007ENX
Numéro de produit DigiKey	R6007ENX-ND
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	R6007ENX
Description	MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 7 A (Tc) 40W (Tc) Trou traversant TO-220FM
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	R6007ENX Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20 nC @ 10 V
Conditionnement En vrac	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 390 pF @ 25 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 40W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-220FM
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier Boîtier complet TO-220-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 620mohms à 2,4A, 10V	Numéro de produit de base R6007

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IPAN65R650CEXKSA1	Infineon Technologies	14	IPAN65R650CEXKSA1-ND	1,42000 €	Similaire
IXTP4N70X2M	IXYS	24	238-IXTP4N70X2M-ND	3,90000 €	Similaire
TK8A65W,S5X	Toshiba Semiconductor and Storage	40	TK8A65WS5X-ND	2,29000 €	Similaire

En stock: 490

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En vrac

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	2,89000 €
Prix unitaire avec TVA:	3,49690 €

R6007ENX