Canal N 650 V 10,1 A (Tc) 28W (Tc) Trou traversant PG-TO220-FP
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IPAN65R650CEXKSA1

Numéro de produit DigiKey
IPAN65R650CEXKSA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPAN65R650CEXKSA1
Description
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 10,1 A (Tc) 28W (Tc) Trou traversant PG-TO220-FP
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IPAN65R650CEXKSA1 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 210µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
23 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±20V
Conditionnement
Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
440 pF @ 100 V
Statut du composant
Date de dernière disponibilité
Dissipation de puissance (max.)
28W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Trou traversant
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Boîtier fournisseur
PG-TO220-FP
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
650mohms à 2,1A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (5)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
IPAN70R600P7SXKSA1Infineon Technologies500IPAN70R600P7SXKSA1-ND1,35000 €Recommandation fabricant
FCPF850N80Zonsemi778FCPF850N80Z-ND3,37000 €Similaire
IXTP4N70X2MIXYS24238-IXTP4N70X2M-ND3,90000 €Similaire
STF10LN80K5STMicroelectronics183497-16499-5-ND3,39000 €Similaire
STP10NK70ZFPSTMicroelectronics952497-12602-5-ND4,67000 €Similaire
En stock: 14
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Date de dernière disponibilité : 30/09/2026
Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
11,42000 €1,42 €
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:1,42000 €
Prix unitaire avec TVA:1,71820 €