
IPAN65R650CEXKSA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | IPAN65R650CEXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPAN65R650CEXKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 10,1 A (Tc) 28W (Tc) Trou traversant PG-TO220-FP |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPAN65R650CEXKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 210µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 23 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 440 pF @ 100 V |
Statut du composant Date de dernière disponibilité | Dissipation de puissance (max.) 28W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-FP |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 650mohms à 2,1A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
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| IPAN70R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | 500 | IPAN70R600P7SXKSA1-ND | 1,35000 € | Recommandation fabricant |
| FCPF850N80Z | onsemi | 778 | FCPF850N80Z-ND | 3,37000 € | Similaire |
| IXTP4N70X2M | IXYS | 24 | 238-IXTP4N70X2M-ND | 3,90000 € | Similaire |
| STF10LN80K5 | STMicroelectronics | 183 | 497-16499-5-ND | 3,39000 € | Similaire |
| STP10NK70ZFP | STMicroelectronics | 952 | 497-12602-5-ND | 4,67000 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,42000 € | 1,42 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,42000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 1,71820 € |







