Name: HIP2101EIBZT
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: HIP2101EIBZTTR-ND
Price: 5.3966 EUR
Availability: InStock

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HIP2101EIBZT
Numéro de produit DigiKey	HIP2101EIBZTTR-ND - Bande et bobine HIP2101EIBZTCT-ND - Bande coupée (CT) HIP2101EIBZTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	HIP2101EIBZT
Description	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Demi-pont Circuit d’attaque de porte IC Sans inversion 8-SOIC-EP
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Circuits intégrés Gestion de l'alimentation (PMIC) Circuits d'attaque de grille
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Programmable DigiKey	Non vérifié
Configuration	Demi-pont
Type de canal	Indépendant
Nombre de circuits d'attaque	2
Type de grille	MOSFET (canal N)
Tension - Alimentation	9V ~ 14V
Tension logique - VIL, VIH	0,8V, 2,2V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)	2A, 2A
Type d'entrée	Sans inversion
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)	114 V
Temps de montée / descente (typ.)	10ns, 10ns
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (0,154po, 3,90mm de largeur) plot exposé
Boîtier fournisseur	8-SOIC-EP
Numéro de produit de base	HIP2101

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