Name: NVMTS0D6N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: NVMTS0D6N04CTXGOSTR-ND
Price: 10.3697 EUR
Availability: InStock

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NVMTS0D6N04CTXG
Numéro de produit DigiKey	NVMTS0D6N04CTXGOSTR-ND - Bande et bobine NVMTS0D6N04CTXGOSCT-ND - Bande coupée (CT) NVMTS0D6N04CTXGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMTS0D6N04CTXG
Description	MOSFET N-CH 40V 533A 8DFNW
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	50 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 533A (Tc) 5W (Ta) Montage en surface 8-DFNW (8,3x8,4)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NVMTS0D6N04CTXG Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 187 nC @ 10 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 11800 pF @ 20 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 5W (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 533A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier fournisseur 8-DFNW (8,3x8,4)
Rds On (max.) à Id, Vgs 0,48 mohms à 50A, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA	Numéro de produit de base NVMTS0