Name: NVMTS0D4N04CLTXG
Brand: onsemi
SKU: NVMTS0D4N04CLTXGOSTR-ND
Price: 12.342 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NVMTS0D4N04CLTXG
Numéro de produit DigiKey	NVMTS0D4N04CLTXGOSTR-ND - Bande et bobine NVMTS0D4N04CLTXGOSCT-ND - Bande coupée (CT) NVMTS0D4N04CLTXGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMTS0D4N04CLTXG
Description	MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	50 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 553,8A (Tc) 5W (Ta) Montage en surface 8-DFNW (8,3x8,4)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 163 nC @ 4.5 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 20600 pF @ 20 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 5W (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 553,8A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur 8-DFNW (8,3x8,4)
Rds On (max.) à Id, Vgs 0,4 mohms à 50A, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA	Numéro de produit de base NVMTS0