Name: NTMFS6H818NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS6H818NLT1GTR-ND
Price: 2.8556 EUR
Availability: InStock

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Rohm Semiconductor

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NTMFS6H818NLT1G
Numéro de produit DigiKey	488-NTMFS6H818NLT1GTR-ND - Bande et bobine 488-NTMFS6H818NLT1GCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NTMFS6H818NLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTMFS6H818NLT1G
Description	MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	43 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 22A (Ta), 135A (Tc) 3,8W (Ta), 140W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 190µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 64 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3844 pF @ 40 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3,8W (Ta), 140W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 22A (Ta), 135A (Tc)	Boîtier fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN, 5 sorties
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,2mohms à 20A, 10V	Numéro de produit de base NTMFS6