Name: TPH3R10AQM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH3R10AQMLQTR-ND
Price: 2.6741 EUR
Availability: InStock

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TPH3R10AQM,LQ
Numéro de produit DigiKey	264-TPH3R10AQMLQTR-ND - Bande et bobine 264-TPH3R10AQMLQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TPH3R10AQMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPH3R10AQM,LQ
Description	100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 120 A (Tc) 210W (Tc) Montage en surface 8-SOP Advance (5x5,75)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TPH3R10AQM,LQ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 500µA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 83 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7400 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 210W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 175°C
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-SOP Advance (5x5,75)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,1mohms à 50A, 10V	Numéro de produit de base TPH3R10