HUFA76629D3ST est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Fiche technique
Canal N 100 V 20 A (Tc) 110W (Tc) Montage en surface TO-252AA
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
Canal N 100 V 20 A (Tc) 110W (Tc) Montage en surface TO-252AA
TO-252AA

HUFA76629D3ST

Numéro de produit DigiKey
HUFA76629D3ST-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
HUFA76629D3ST
Description
MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 20 A (Tc) 110W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
46 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±16V
Conditionnement
Bande et bobine
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1285 pF @ 25 V
Statut du composant
Obsolète
Dissipation de puissance (max.)
110W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Montage en surface
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Boîtier fournisseur
TO-252AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
52mohms à 20A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (4)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
NTD6415ANLT4Gonsemi1 941NTD6415ANLT4GOSCT-ND2,50000 €Similaire
HUF76629D3STonsemi11 265HUF76629D3STCT-ND3,14000 €Équivalent paramétrique
AOD4286Alpha & Omega Semiconductor Inc.0AOD4286-ND0,24080 €Similaire
STD15NF10T4STMicroelectronics3 535497-7958-1-ND1,54000 €Similaire
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.
Non annulable/Non remboursable