Name: HUF76629D3ST
Brand: onsemi
SKU: HUF76629D3STTR-ND
Price: 3.7994 EUR
Availability: InStock

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HUF76629D3ST
Numéro de produit DigiKey	HUF76629D3STTR-ND - Bande et bobine HUF76629D3STCT-ND - Bande coupée (CT) HUF76629D3STDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	HUF76629D3ST
Description	MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	31 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 20 A (Tc) 110W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 46 nC @ 10 V
Série UltraFET™	Vgs (max.) ±16V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1285 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 110W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-252AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base HUF76629
Rds On (max.) à Id, Vgs 52mohms à 20A, 10V