FDD8876 onsemi | FET, MOSFET simples

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FDD8876
Numéro de produit DigiKey	FDD8876TR-ND - Bande et bobine FDD8876CT-ND - Bande coupée (CT) FDD8876DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDD8876
Description	MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 15 A (Ta), 73 A (Tc) 70W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 47 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1700 pF @ 15 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 70W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur TO-252AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 15 A (Ta), 73 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base FDD887
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,2mohms à 35A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IPD090N03LGATMA1	Infineon Technologies	93 617	IPD090N03LGATMA1CT-ND	0,95000 €	Similaire
IPD30N03S4L09ATMA1	Infineon Technologies	20 684	IPD30N03S4L09ATMA1CT-ND	1,08000 €	Similaire
IPD40N03S4L08ATMA1	Infineon Technologies	9 247	IPD40N03S4L08ATMA1-ND	0,77341 €	Similaire

En stock: 103

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT)

Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Prix unitaire sans TVA:	1,70000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,05700 €

FDD8876