IPD40N03S4L08ATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

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IPD40N03S4L08ATMA1

Infineon Technologies

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Canal N 30 V 40 A (Tc) 42W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11

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IPD40N03S4L08ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPD40N03S4L08ATMA1-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD40N03S4L08ATMA1
Description	MOSFET N-CH 30V 40A TO252-31
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 40 A (Tc) 42W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±16V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1520 pF @ 15 V
Conditionnement Bande et bobine	Dissipation de puissance (max.) 42W (Tc)
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 40 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO252-3-11
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,3mohms à 40A, 10V	Numéro de produit de base IPD40N03
Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 13µA

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Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IPD40N03S4L08ATMA1	Infineon Technologies	9 247	IPD40N03S4L08ATMA1-ND	0,77341 €	Équivalent paramétrique

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