Name: PSMN1R2-80ASEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R2-80ASEJTR-ND
Price: 8.9298 EUR
Availability: InStock

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PSMN1R2-80ASEJ
Numéro de produit DigiKey	1727-PSMN1R2-80ASEJTR-ND - Bande et bobine 1727-PSMN1R2-80ASEJCT-ND - Bande coupée (CT) 1727-PSMN1R2-80ASEJDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	PSMN1R2-80ASEJ
Description	N-CHANNEL, 80 V, 1.18 MOHM, MOSF
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	13 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 375A (Ta) 935W (Tc) Montage en surface CCPAK1212
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,6V à 1mA
Fabricant Nexperia USA Inc.	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 350 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 26187 pF @ 40 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 935W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 375A (Ta)	Boîtier fournisseur CCPAK1212
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier 12-BESOP (0,370po, 9,40mm de largeur), plot exposé
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,18mohms à 25A, 10V