Name: PSMN1R1-80ASFJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R1-80ASFJTR-ND
Price: 8.6394 EUR
Availability: InStock

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PSMN1R1-80ASFJ
Numéro de produit DigiKey	1727-PSMN1R1-80ASFJTR-ND - Bande et bobine 1727-PSMN1R1-80ASFJCT-ND - Bande coupée (CT) 1727-PSMN1R1-80ASFJDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	PSMN1R1-80ASFJ
Description	NEXTPOWER 80 V, 1.11 MOHM, N-CHA
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	13 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 385A (Tc) 935W (Tc) Montage en surface CCPAK1212
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Fabricant Nexperia USA Inc.	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 363 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 24627 pF @ 40 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 935W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 385A (Tc)	Boîtier fournisseur CCPAK1212
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7V, 10V	Boîtier 12-BESOP (0,370po, 9,40mm de largeur), plot exposé
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,11mohms à 25A, 10V