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IXTA1N200P3HV est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IXTA1N200P3HV | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IXTA1N200P3HV-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IXTA1N200P3HV |
Description | MOSFET N-CH 2000V 1A TO263 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 26 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 2000 V 1 A (Tc) 125W (Tc) Montage en surface TO-263AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IXTA1N200P3HV Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 2000 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 40ohms à 500mA, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 23.5 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 646 pF @ 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 125W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | TO-263AA | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
0 en stock
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 9,54000 € | 9,54 € |
| 50 | 5,31460 € | 265,73 € |
| 100 | 4,90870 € | 490,87 € |
| 500 | 4,19826 € | 2 099,13 € |
| 1 000 | 4,16016 € | 4 160,16 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 9,54000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 11,54340 € |
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