Name: IXTA1N200P3HV-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA1N200P3HV-TRLTR-ND
Price: 12.8381 EUR
Availability: InStock

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IXTA1N200P3HV-TRL
Numéro de produit DigiKey	238-IXTA1N200P3HV-TRLTR-ND - Bande et bobine 238-IXTA1N200P3HV-TRLCT-ND - Bande coupée (CT) 238-IXTA1N200P3HV-TRLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXTA1N200P3HV-TRL
Description	MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	48 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 2000 V 1 A (Tc) 125W (Tc) Montage en surface TO-263HV
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant IXYS	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 23.5 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 646 pF @ 25 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 125W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 2000 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-263HV
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 40ohms à 500mA, 10V	Numéro de produit de base IXTA1