


SPA07N60C3XKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SPA07N60C3XKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SPA07N60C3XKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 7,3 A (Tc) 32W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-31 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SPA07N60C3XKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 27 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 790 pF @ 25 V |
Statut du composant Date de dernière disponibilité | Dissipation de puissance (max.) 32W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-3-31 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 600mohms à 4,6A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA60R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPA60R600P7XKSA1-ND | 1,67000 € | Recommandation fabricant |
| IPA60R600P6XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPA60R600P6XKSA1-ND | 1,86000 € | Similaire |
| STP10NK80ZFP | STMicroelectronics | 809 | 497-5972-5-ND | 4,87000 € | Direct |
| R6007ENX | Rohm Semiconductor | 490 | R6007ENX-ND | 2,89000 € | Similaire |
| R6009ENX | Rohm Semiconductor | 183 | R6009ENX-ND | 3,84000 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,47000 € | 2,47 € |
| 50 | 1,22480 € | 61,24 € |
| 100 | 1,10390 € | 110,39 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 2,47000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 2,98870 € |








