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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IRF1407STRRPBF | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IRF1407STRRPBF-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IRF1407STRRPBF |
Description | MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 75 V 100 A (Tc) 3,8W (Ta), 200W (Tc) Montage en surface D2PAK |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 7,8mohms à 78A, 10V |
Fabricant | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 250 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5600 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 3,8W (Ta), 200W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 75 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur D2PAK |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
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Substituts (12)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB100N08S207ATMA1 | Infineon Technologies | 7 012 | IPB100N08S207ATMA1TR-ND | 2,20974 € | Similaire |
| IPB100N08S2L07ATMA1 | Infineon Technologies | 425 | IPB100N08S2L07ATMA1TR-ND | 2,32018 € | Similaire |
| IPB80N08S207ATMA1 | Infineon Technologies | 957 | 448-IPB80N08S207ATMA1CT-ND | 5,23000 € | Similaire |
| BUK9609-75A,118 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-7189-1-ND | 1,25902 € | Similaire |
| FDB060AN08A0 | onsemi | 2 417 | FDB060AN08A0CT-ND | 4,31000 € | Similaire |
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