IPB100N08S207ATMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Canal N 75 V 100 A (Tc) 300W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
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IPB100N08S207ATMA1

Numéro de produit DigiKey
IPB100N08S207ATMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPB100N08S207ATMA1
Description
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 75 V 100 A (Tc) 300W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
200 nC @ 10 V
Fabricant
Vgs (max.)
±20V
Série
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
4700 pF @ 25 V
Conditionnement
Bande et bobine
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Statut du composant
Obsolète
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET
Grade
Automobile
Technologies
Qualification
AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss)
75 V
Type de montage
Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
PG-TO263-3-2
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
6,8mohms à 80A, 10V
Numéro de produit de base
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (6)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
IAUC100N08S5N043ATMA1Infineon Technologies15 604448-IAUC100N08S5N043ATMA1CT-ND2,15000 €Recommandation fabricant
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Obsolète
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