Name: IPN60R2K1CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN60R2K1CEATMA1TR-ND
Price: 0.8107 EUR
Availability: InStock

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IPN60R2K1CEATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPN60R2K1CEATMA1TR-ND - Bande et bobine IPN60R2K1CEATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPN60R2K1CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPN60R2K1CEATMA1
Description	MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 3,7 A (Tc) 5W (Tc) Montage en surface PG-SOT223-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPN60R2K1CEATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 60µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6.7 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ CE	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 140 pF @ 100 V
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Dissipation de puissance (max.) 5W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Boîtier fournisseur PG-SOT223-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,7 A (Tc)	Boîtier TO-261-4, TO-261AA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPN60R2
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,1ohms à 800mA, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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Bande et bobine