
IPN50R800CEATMA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | IPN50R800CEATMA1TR-ND - Bande et bobine IPN50R800CEATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPN50R800CEATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 500 V 7,6 A (Tc) 5W (Tc) Montage en surface PG-SOT223 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPN50R800CEATMA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 130µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12.4 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 280 pF @ 100 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 5W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 500 V | Boîtier fournisseur PG-SOT223 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 13V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 800mohms à 1,5A, 13V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 0,90000 € | 0,90 € |
| 10 | 0,56300 € | 5,63 € |
| 100 | 0,36690 € | 36,69 € |
| 500 | 0,28262 € | 141,31 € |
| 1 000 | 0,25549 € | 255,49 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,90000 € |
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| Prix unitaire avec TVA: | 1,08900 € |







