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IPL60R299CPAUMA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | IPL60R299CPAUMA1TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPL60R299CPAUMA1 |
Description | MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 11,1 A (Tc) 96W (Tc) Montage en surface PG-VSON-4 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPL60R299CPAUMA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 440µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 22 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1100 pF @ 100 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 96W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur PG-VSON-4 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 299mohms à 6,6A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPL60R285P7AUMA1 | Infineon Technologies | 5 920 | IPL60R285P7AUMA1CT-ND | 2,46000 € | Similaire |
| FCMT299N60 | onsemi | 2 386 | FCMT299N60CT-ND | 4,73000 € | Similaire |
| SIHH14N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 5 730 | SIHH14N60E-T1-GE3CT-ND | 4,21000 € | Similaire |




