Name: IPL60R285P7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPL60R285P7AUMA1TR-ND
Price: 2.9766 EUR
Availability: InStock

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IPL60R285P7AUMA1
Numéro de produit DigiKey	IPL60R285P7AUMA1TR-ND - Bande et bobine IPL60R285P7AUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPL60R285P7AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPL60R285P7AUMA1
Description	MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	48 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 13 A (Tc) 59W (Tc) Montage en surface PG-VSON-4
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPL60R285P7AUMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 190µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 18 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ P7	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 761 pF @ 400 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 59W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Boîtier fournisseur PG-VSON-4
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13 A (Tc)	Boîtier 4-PowerTSFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPL60R285
Rds On (max.) à Id, Vgs 285mohms à 3,8A, 10V