Name: IPD60R2K1CEAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R2K1CEAUMA1TR-ND
Price: 0.9075 EUR
Availability: InStock

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IPD60R2K1CEAUMA1
Numéro de produit DigiKey	IPD60R2K1CEAUMA1TR-ND - Bande et bobine IPD60R2K1CEAUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPD60R2K1CEAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD60R2K1CEAUMA1
Description	MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 2,3 A (Tc) 38W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD60R2K1CEAUMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 60µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6.7 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ CE	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 140 pF @ 100 V
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Dissipation de puissance (max.) 38W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Boîtier fournisseur PG-TO252-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,3 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPD60R
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,1ohms à 760mA, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (4)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FCD850N80Z	onsemi	17 987	488-FCD850N80ZCT-ND	3,03000 €	Similaire
STD3N62K3	STMicroelectronics	2 838	497-8478-1-ND	1,41000 €	Similaire
STD4NK60ZT4	STMicroelectronics	1 203	497-5889-1-ND	2,02000 €	Similaire
TSM4NB60CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	4 863	TSM4NB60CPROGCT-ND	1,39000 €	Similaire

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Quantité

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