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IPD30N03S2L10ATMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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IPD30N03S2L10ATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IPD30N03S2L10ATMA1TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPD30N03S2L10ATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 30 A (Tc) 100W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 42 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1200 pF @ 25 V |
Conditionnement Bande et bobine | Dissipation de puissance (max.) 100W (Tc) |
Statut du composant Obsolète | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur PG-TO252-3-11 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 10mohms à 30A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 50µA |
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Substituts (3)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD50N03S2L06ATMA1 | Infineon Technologies | 4 397 | IPD50N03S2L06ATMA1CT-ND | 2,02000 € | Recommandation fabricant |
| DMN3010LK3-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMN3010LK3-13CT-ND | 0,99000 € | Similaire |
| FDD8876 | onsemi | 103 | FDD8876CT-ND | 1,70000 € | Similaire |
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