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Canal N 60 V 80 A (Tc) 107W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IPB80N06S405ATMA1

Numéro de produit DigiKey
IPB80N06S405ATMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPB80N06S405ATMA1
Description
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 80 A (Tc) 107W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
81 nC @ 10 V
Fabricant
Vgs (max.)
±20V
Série
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
6500 pF @ 25 V
Conditionnement
Bande et bobine
Dissipation de puissance (max.)
107W (Tc)
Statut du composant
En fin de cycle chez DigiKey
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET
Grade
Automobile
Technologies
Qualification
AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Type de montage
Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
PG-TO263-3-2
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
5,4mohms à 80A, 10V
Numéro de produit de base
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 60µA
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (12)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
IPB80N06S405ATMA2Infineon Technologies166448-IPB80N06S405ATMA2CT-ND2,16000 €Direct
IRF1405STRLPBFInfineon Technologies1 681IRF1405STRLPBFCT-ND2,81000 €Similaire
IRF3205ZSTRLPBFInfineon Technologies4 387IRF3205ZSTRLPBFCT-ND2,16000 €Similaire
FDB070AN06A0onsemi1 720FDB070AN06A0CT-ND3,63000 €Similaire
FDB5800onsemi5 109FDB5800CT-ND3,36000 €Similaire
En stock: 0
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